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LED产业终迎中国标准硅衬底技术搭建第三注意

来源:  点击次数:0  时间:2020-11-20

中国制造要升级到中国创造,并走向国际市场,中国标准须先行。经过近十年潜心研发培育,产业终于迎来中国标准。

上证报最近获悉, 2015年度国家科学技术奖拟于2016年1月份在人民大会堂举办颁奖典礼。据分析,备受瞩目的技术发明一等奖有望花落 硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管 项目(下称 硅衬底项目 )。硅衬底项目的主要参与人员孙钱昨日对上证报表示,从国家战略层面讲,硅衬底技术是我国拥有自主知识产权的技术路线,可以构建中国完全自主的LED产业。

与硅衬底技术并列LED三大技术路线的蓝宝石衬底技术曾获2014年诺贝尔物理学奖。有产业经济学家表示,在成本持续下降的背景下,硅衬底技术如若能获包括银行在内的融资主体得资本大力追捧,LED产业格局有望被重塑。

有望获国家大奖 加持

16日国务院常务会议通过2015年度国家科学技术奖评选结果,上证报根据此前的初评公示及历史经验判断,2015年国家技术发明一等奖有望被 硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管 夺取,因为这是本年度唯一一个入选该奖项初评一等奖的项目。

硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管 由江西省申报,项目主要参与人员包括南昌大学的江风益教授、(江西)有限公司的孙钱等人。

项目资料显示,该项目率先攻克硅基相关难题,所生产的硅衬底LED各项指标在同类研究中均处于国际领先地位,并与碳化硅、蓝宝石两条技术路线水平持平;并从衬底加工、外延生长、芯片制造、器件封装四大环节均发明了适合硅衬底高光效蓝光LED生产的关键核心技术,自成体系;该项技术已经申请或拥有国际国内专利2 2项,其中已授权发明专利127项,实现了外延芯片核心部件每一层都有专利保护。

据介绍,国家技术发明一等奖判定标准为:属国内外首创的重大技术发明或创新,技术经济指标达到了同类技术领先水平,且推动相关领域技术进步且已产生显著的经济或者社会效益。

硅衬底技术确实应该获得这个大奖,他打破了日美国家在这个领域的技术垄断,这是国家大力支持科技发明的体现。 一位接近国务院高层当晚他戴着拳击手套商洛癫痫病三甲医院亮相的产业经济学家如此评价。

衬底主要有三条技术路线:碳化硅衬底、蓝宝石衬底、硅衬底。其中,前者走的是 贵族路线 ,成本高昂,其衬底及LED制备技术被美国公司垄断。蓝宝石衬底技术则主要掌握在日本公司手中,成本较低,这是目前市场上的主流路线;但蓝宝石晶圆散热较差,晶体垂直生长困难很难做到大尺寸、无法制作垂直结构的器件,衬底也较难剥离。而第三条路线就是中国自主发展起来的硅衬底技术,它弥补了前两大技术路线之不足。

蓝宝石技术发明者曾获2014年诺贝尔物理学奖,从这个角度而言,硅衬底技术获得中国国家技术发明一等奖的可能性很大。 有LED产业人士如此表示。

中国标准将重塑产业链

上述业内人士表示,硅衬底项目的重大创新意义在于:硅基氮化镓技术是中国自主研发、拥有完全自主知识产权的技术路线,将构建中国LED产业标准,凸显产业后发优势;这一技术也将获得国家的大力支持与推广,对我国的LED产业格局有望产生革命性的影响。

硅基衬底具有良好的稳定性和导热性,且具有原材料成本低廉,晶圆尺寸大等优点。某业内资深人士表示,集成电路6吋和8吋生产线产能很多,如果硅基衬底技术成熟,价格降低一半是可期的。

孙钱在前人研究的基础上,大胆创新并利用多层AlGaN(氮化镓异质结场效应晶体管) 缓冲层技术,利用高温外延生长时建立起来的压应力抵消降温过程中应热膨胀系数的差异而引起的张应力,从而避免了氮化镓薄膜中龟裂的产生,实现了高质量无裂纹的氮化镓。这也为进一步研发出适合硅基氮化镓的多量子阱发光有源区和PN结掺杂等提供了优异的材料基础,真正实现了硅衬底氮化镓基LED的产业化技术路线。

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